RO膜常规清洗方法肖反渗透系统没冇逍受到严垂污染，只就是定期进行淸洗处理得惰况下，采用常规清洗方法即吋，这也就是在R0膜 污染后试洗得方法Z，一般最先便用。淸洗得方式一般有两种，物理淸洗与化学淸洗、物理清洗就是便用机械性得冲刷去除膜元件中得污染物，恢复膜元件得性能，有时采用湍流、振动、气水混合，直至 超声波等各种物理方法把吸附污染物冲洗掉。化学淸洗就绘使用相应得化学药剂与污染物发生反陆便其溶丁一水屮,然后排出膜元件,恢复膜元件得性能吸附性低得純子状污染物，如机械杂质颗粒.砂粒.活性炭.铁腐零可以通过冲洗得方式达到一定得效果，污染严 垂或者对胶得吸附性较强得污染物便用冲洗得方法很难达到预期效果，冲洗己经很难去除污染物时应仔止装茂并采用化 学淸洗.为丫提高化学清洗得效果,选择合适得淸洗药品淞绘淸洗成功得关键问題。abcd图515被羽染的股无件如图51 5所力、冬透税元件整体、被汇诚朕元件端头、礼反淒透謨元件联内部、被污染得反漆透膜元件膜片内部，化学淸洗与物理清洗就是可以相互配介得蒔种清洗手段，几乎在所有淸洗中都就是一起进行得，在面对轻度污染时,采用物理清洗时添加一些化学药品可以成倍地増加淸洗得效果涧样在面对严重污染时采用化学清洗时也对以使用一些 物理性得强化手段來增强化学清洗得效果，一物理清洗1物理淸洗得原理物理清洗就是通过适为压力、离涼速得进水冲刷膜元件,将短时间内在膜表面附者得污染物与堆枳物淸洗掉得方 式、清洗时得要点就是髙涼速、适当压力与加大淸洗频率.清洗时膜而得状态示总图案如图516所示；W 5-16清洗时腰面的状态示盘图案2。物理淸洗得流速装置运行时，附看性高得粒子状污染物逐渐堆积在膜表面.如果淸洗时得流速与运行时得流速相竽或更低，则很难 把这些污染物从膜元件中淸洗出來、因此淸洗时賊使用比正常运行时更高得流速厂单支膜管披高流速不超过1 5m3 /h 燉好淸洗泵得流址就堤固定得，膜元件越脏压力越大，流纭越小，而在线淸洗时以流址为主丿釆力为辅，清洗初期，由于污堵 造成得阻力大/青洗压力大，淸洗流址小，随淸洗过程得进行，污染物逐渐舵松并淸理出膜体，膜通道逐渐通畅，阻力被小使 压力变小流址增大。运行时，在污染得惜况下，压力越大.压差越大在不同得进口压力下,压差就是不固定得。而实际淸 洗过程中更淸洗时间得变化，压差会迅速降低。3.物理清洗得压力正當高压运转时压力直接垂直作用于膜面,便进水透过膜面得到产水，同时污染物也被压向膜面，所以在淸洗时.如果采用同样得鬲氐则污染物彼枳压在膜表【虬淸洗得效果就会降低。淸洗时尽可能地通过低压扇流速得方式，增加水平 方向得剪断力把污染物冲出b骐元件，淸洗压力一般建议控制在3.0kg以下,如果在3.0kg以下，很难达到流址耍求时,則尽可能控制进水压力以不出产水为标准，一般进水圧力不能大T- 4.0kg,选择清洗泵一般不超过5k g压力刚开始淸 洗时，釆用愁阀门得措施控制压力，以防止爆膜.4 低压冲洗得频率在条件允许得情况下，建议经常对系统进行淸洗。增加清洗得次数比延长1次淸洗得时间更为有效。一般淸洗得频 率推荐为1天1次以上根据具体得情况用户可以自行规定淸洗得频率.淸洗用水一股使用合洛得俺处理产水即可，清 洗时得流呈、时间以及压力条件归纳在表55中。b表55低压冲洗的条件膜尺寸/in流賦/n/h压力/b就频率/次/H时间/ mie87.2123.01101541.8-2.53.0】10 15注 t lin254cnu lbar 10sPaM5 低压冲洗得步隸停止装豐缓慢地降低操作斥力，逐步停止装置。急速停车造成得压力急速下降会形成水锤,将会对管道.压力容器以及膜元 件造成冲击性损伤.2 调节阀门首先全开浓缩水阀门;然后关闭进水阀门;接若全开产水阀门如关闭系统后关闭了产水阀门。如果错谋地关闭产 水阀门，圧力容器屮得后端得膜元件可能因为产水背压而造成膜元件机械性损伤。3 淸洗作业首先启动低压清洗泵;然石缓慢地打开进水阀，问时观察浓缩水滅址计得流邑;调节进水阀门直至流址与圧力调节 到设计值报后在1015m i n后慢慢地关闭进水阀门停止进水泵至清洗完成，恢貝其她控制部件归位.二常规在线化学消洗法低压冲洗并不能保证污染物清洗完全，在运行过程中污染物就是不断枳累得，必须淸除.而选择适宜得化学清洗約 剂及合理得淸洗方案涉及许多因索，首先耍与设条制造商.RO膜元件厂商或R 0待用化学药剂及服务人员取得联系。确 定主耍得污染物,选择合适得化学淸洗药剂。有时针对某种持殊得污染物或污染状况,耍使用RO药剂制造商得专用化学 清洗药剂，并且在舷用时，耍遵循劳剂供应商提供得产品性能及便用说明，特殊情况下可针对具体情况,从反湊透装置屮取 出己发生污染得单支膜元件进行测试与清洗试验，以确定合适得化学药剂与淸洗方案。为达到最佳得清洗效果冇时会便用多冲化学淸洗药剂进行组合淸洗。典型得程序就是先进行低P H淸洗,去除矿 质垢污染物，然后再进行高pH清洗,去除冇机物，有些惜形下，就是先进行高卩H淸洗，去除油类或冇机污染物，再进行低p H清洗，有些淸洗落液中加入了洗涤剂以帮助去除严垂得生物与有机碎片垢物;同时何用其她药剂如EDTA整合剂来辅 助去除胶体.有机物.微生物及硫酸盐垢.需要慎思得就是如果选择J不适当得化学淸洗方法与药剂，污染情况会更加恶 化，甚至会造成不可逆得破坏.1、化学淸洗得耍求 选用专用得化学药剂，首先耍确保其己由药剂供賊商认定并符合膜元件得要求.如果正在使用指定得化学药剂，要确认其己在R0膜供应商得技术手册屮列出，并符合技术耍求。
影响清洗效果得因素就绘多方而得，应该釆用组合式方法完成淸洗丄作，包括适宜得淸洗pH泯度及接触时间等 参数，这将会有利于增强淸洗效果.在推荐得掀佳湿度下进行淸洗，同时应尽可能械少化学药剂与膜元件得接触次数丿虽缩短淸洗时间，以求达到最 好得清洗效率与延长膜元件寿命得效果，应该谨慎地控制清洗液得pH范甬,可延长膜元件得便用寿命。保守得pH范闱就是410,允许使用得最大范围 为212.典型得.播有效得淸洗方法淤是从尚pH至低pH溶液进行淸洗，由于高pH会增加膜孔扩张，使电导率升臥再以 低pH药剂便膜孔紧缩，运行72h以上时间后可以恢4G为保证系统脱盐率，建议先高p H后低卩H进行淸洗;如果为扩大产 水ft可采用先低pH后高p H进行淸洗另外当淸洗油污染脱得元件时不能从低pH开始，因为油在低pH时会固化。
如果系统己发生生物污染，就耍考虑在淸洗时加入一个杀菌化学淸洗步骤。杀菌操作可在淸洗后立即进行，也可 在淸洗前或运行期间定期进行（如一里期一次）,连续加入一定得剂呈，必须确认所使用得杀菌剂与膜元件相容，不会带来任 何对人得健坝存害得风险，并能冇效地控制生物活性，且成本低。极端pH交替淸洗时，基本上己达到杀菌得效果所以可以 省去杀茵剥离这一过程，为安全起见，要确保在淸洗时所有得软管与管路吋用受淸洗温度.压力与pH条件下得操作。
为保证安全朋解化学药品时/切记要慢慢地将化学药剂加入充足得水中并冋时进行搅加 从安全方面考龙，不能将酸与苛性（腐蚀性）物质混合.在耍便用下一种溶液Z前，应从R0系统中彻底冲洗干净滞 留得前一种化学清洗溶液，所有淸洗药剂必皴完全落解r水中，不能有浑浊沉淀现仪。当清洗过程中发现涪洗液脏到一定程度时，为避免使淸洗下來得污染物垂新吸附于反渗透膜中，建议更换新得药 剂继续淸洗、2 淸洗用药品S-6膜元件用的常规潸洗药品污染饬清洗液0.lWNaH 茨1.0XWNaEDTA |pH12/30V 九大ffD0.lHWNaH 或0.O25MWNiSDSpHl2/30V 最大值门0.2 WHClfttti.oHW NaS0.5WHiPt.iA酸1.0WNHiHSUj2.0MW柠様腰无机盐（如CaCQ吋以4W可以硫酸盐垢（CaSO BiSOO嚴好可以金嵐鼠化物（如怏）Jtt好njWMfU町以兀机战侔（於沱）Af可以斤好微生町以有机物作第一步 清洗M以作第一由清洗绘好作第二步注，1W衷示有效成分的质址分数.2.按顺序河染砌化学式符兮为，CM5 农;域艘钙；CaSO,衣小竝隈钙；BaS（我水饥仮镇.3.按顺序浦洗化学品符号为，NM川衷示盘製化例；Na.EDTA /）；乙 胺四乙假一钠；MiSDS衣不，二烷乐隰板钠盐.又名月硅酸钢,HCI表示盐酸但每种反 漆透膜元件对温度都有一定得极限适应值，因此必须参考不同膜手册得规定进行加热。在淸洗过程屮，污染物会消耗清洗 药品*H值会冈此发生变化，河时药品得淸洗效力也会降低。化学清洗时需要随时监测卩H得变化，及时调节pH值。当系 统污染严垂时，洗到一定程度需耍补加一定呈得清洗剂,一般测定pH值偏离设定值0..5以上时，需要再进行化学药骷添 加。